標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 30V
電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C 3.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 60 mOhm @ 3.8A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.8V @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 3.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 270pF @ 15V
功率 - 最大 1.4W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
包裝材料 Tape & Reel (TR)
FET特點(diǎn) Logic Level Gate, 2.5V Drive
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 3.8A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.8V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3
其他名稱 785-1012-2
開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 60 mOhm @ 3.8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.4W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
漏極至源極電壓(Vdss) 30V
輸入電容(Ciss ) @ VDS 270pF @ 15V
閘電荷(Qg ) @ VGS 3.2nC @ 4.5V